炭化ケイ素の製造方法

高品質の SiC 単結晶は、主に物理気相輸送 (PVT) と高温化学気相成長 (HTCVD) によって製造されます。- PVT 法は、SiC 原料粉末を高温で昇華させ、その成分を種結晶表面に凝縮させて高品質の SiC 単結晶を成長させます。- HTCVD 法では、化学気相成長法により高温で SiC 結晶を合成します。